2024年開年，存儲芯片延續(xù)去年的反彈趨勢，迎來新一輪漲價。三星、美光等全球頭部存儲芯片企業(yè)，日前正規(guī)劃在2024年一季度將DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片價格上漲15%至20%。

集邦咨詢分析師吳雅婷在接受《證券日報》記者采訪時表示，根據(jù)最新研究結(jié)果，預(yù)計2024年一季度全球市場DRAM合約價整體漲幅為13%至18%，延續(xù)2023年第四季度的上漲態(tài)勢。

存儲產(chǎn)品價格于2023年見底回升。國聯(lián)證券分析師熊軍在研報中表示：“典型DRAM顆粒現(xiàn)貨平均價于2023年9月份見底，典型DRAM內(nèi)存條渠道平均價于2023年8月份見底，典型NAND Flash（閃存存儲器）合約平均價于2023年4月份見底。”

2023年四季度，DRAM和NAND Flash合約價均實現(xiàn)13%至18%的漲幅，今年一季度延續(xù)這一漲勢。

“上游存儲原廠減產(chǎn)后，庫存快速去化，疊加原廠端致力于提升獲利能力，導(dǎo)致價格有較大漲幅?！奔钭稍兎治鰩熗踉ョ飨颉蹲C券日報》記者表示，不過，終端銷售情況仍有待觀察。

江海證券分析師屈雄峰表示，隨著下游傳統(tǒng)消費電子需求的逐漸復(fù)蘇與服務(wù)器需求的穩(wěn)定增長，存儲芯片需求也將迎來相應(yīng)增長。同時，漲價趨勢將拉動買家與經(jīng)銷商需求，未來存儲芯片漲價或?qū)⒊掷m(xù)一段時間。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是典型的強周期性行業(yè)，4年至5年完成一輪周期。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）數(shù)據(jù)顯示，存儲芯片將引領(lǐng)2024年全球半導(dǎo)體市場成長，銷售額同比將躍增44.8%。

北京社科院副研究員王鵬告訴《證券日報》記者：“存儲芯片在半導(dǎo)體產(chǎn)品中率先反彈，且反彈力度較大，可以視為半導(dǎo)體行業(yè)漸暖的一個信號。存儲芯片是半導(dǎo)體市場中的重要組成部分，其價格上漲有助于帶動其他品類的半導(dǎo)體產(chǎn)品進入上漲通道?！?/p>

隨著存儲芯片價格上漲，產(chǎn)業(yè)鏈上市公司業(yè)績改善受到市場關(guān)注。兆易創(chuàng)新在2023年第三季度已經(jīng)實現(xiàn)了毛利率的環(huán)比提升。東方證券研報表示，毛利率階段性底部已過。隨著庫存去化，兆易創(chuàng)新產(chǎn)品成本結(jié)構(gòu)有望得到進一步改善。

佰維存儲方面表示，公司2023年9月份單月營收已接近5億元，第四季度業(yè)績進一步回升向好，毛利率迅速提升。從在手訂單情況看，預(yù)計2024年第一季度將會延續(xù)這樣的態(tài)勢。